камика^Wмажоры в моём линуксе?

А в чём проблема?

в кэшах на SSD --> быстрая смерть последних
точнее быстрое падение скорости

Интересно, сколько может выдержать обычная флешка в таком режиме? Во всяких вистах же есть некий ReadyBoost

Не знаю сколько выдержиn, но у меня две недели проработала под /var

с ридибустом за полгода флэшка превращается в Г )

/var /var-у рознь!
смотря ЧТО там и КАК происходит
впрочем на полгода хватит, а дальше падение скорости...

> в кэшах на SSD --> быстрая смерть последних

в SSD ставят хитрые контроллеры, при записи данные равномерно раскидываются по массиву а не пишутся тупо в одно место.

дык это и ежу понятно, только думаю столько раз зведанутый понимает, что количество записи на ячейку ограничено, а кэш пишется практически постоянно --> быстрый износ ячеек
или у них SSD овер N*терабайт, а кэш < гиг-другой?

http://communities.intel.com/thread/8118;jsessionid=5C8EEC39FE4C16294B17501CA...

много букаф и по-ангельски...
можно коротко и по-русски? :)

Intel specifies a durability limit of 15 Terabytes for a 160GB SSD drive.
--
given a nearly perfect wear leveling algorithm, it would require a total of 1.600 Terabytes (1.6 Petabytes) written to the SSD to end its life definetely (given 10.000 write cycles per block)
--
Is there any official statement on SSD durability by intel?
From the datasheet, It's 5 years at 20GB/day.
--

коротко и по-русски уже не соображу, зело спать хочется :(

бррр - 20 ГБ в день на 5 лет - это до начала падения скорости? или таки до смерти?

это, я так понял, физический лимит записи. т.е. 10,000 циклв записи в одну ячейку.

всмысле, гарантированный лимит записи.

т.е. до смерти
а вот скорость начнёт через полгода-год падать

> а вот скорость начнёт через полгода-год падать

с чего бы?

с того что умирают ячейки не сразу и окончательно, а постепенно с заметным снижением скорости, как записи так и чтения

> с того что умирают ячейки не сразу и окончательно, а постепенно с заметным снижением скорости, как записи так и чтения

фигасе новости. искренне всегда считал, что ячейка или живая (т.е. в неё можно записать) или нет. и замедления там быть не может, согласно физическим принципам её работы.

э не - не пробовал значит флэшки гонять в жёстком режиме - т.е. каждый день писать на неё 1.37 ГБ при размере в 2 ГБ - через несколько месяцев настооолько медленне становится )

флэшка - это совсем не SSD. в случае с флэшкой, сдается мне, замедление связано с ремапом уже померших ячеек.

этож чем они отличаются?
и почему на винте при бэдблоках скорость не падает, а на флэшке падает?
да потому что ячейки изношены!

> этож чем они отличаются?

электроникой внутри.

и почему на винте при бэдблоках скорость не падает, а на флэшке падает?

на винте еще как падает, у меня когда в ноуте винт стал сыпаться, скорость записи до 800 килов падала.

да потому что ячейки изношены!

есть пруф на описание механизма износа ячеек?

пруф? учебники физики )
серьёзно! не может ячейка просто перестать работать - она со временем изнашивается и всё

> серьёзно! не может ячейка просто перестать работать - она со временем изнашивается и всё

неубедительно

проверь!
каждый месяц с dd тести скорость - посмотрим :)

хм, а может, эта, как её... фрагментация?

на флэшках нет головки! потому на фрагментацию глубоко плевать!
и да - она там есть и ооочень большая!
ибо контроллер стремится распределить количество циклов записи между всеми ячейками равномерно! поэтому даже файлик в пару метров будет «размазан» по всем «менее затёртым» ячейкам
потому и в винде новая «фича» про дефраг флэшек бесполезна! хотя для того же кингстона оочень даже полезна %)

> пруф? учебники физики )

серьёзно! не может ячейка просто перестать работать - она со временем изнашивается и всё

физика подсказывает мне, что транзистор, из которого состоит ячейка памяти не может «изнашиваться» так как ты описал. он может или работать (т.е. хранить свое состояние) или не работать. фактически, износ есть. но он никак не сказывается на скорости работы ячейки а всего лишь приводит к отказу ячейки (т.е. невозможности хранить состояние) после определенного количества циклов записи/стирания.
вот здесь кратко и доступно описан механизм работы:

http://x-memory.ru/reviews_detail.php?ELEMENT_ID=3235
http://www.compress.ru/article.aspx?id=12401&iid=472

т.е. полупроводник сам считает когда он должен сломаться?
полупроводники тоже изнашиваются!
и на скорости это очень даже сказывается

происходит разрушение диэлектрического слоя!
оно происходит мгновенно?
нет!
короче учиться-учиться-и-ещё-раз-учиться!

> т.е. полупроводник сам считает когда он должен сломаться?

facepalm.tgz.
у п/п элементов (в данном случае полевого транзистора, из которого состоит ячейка памяти) есть определенный «срок жизни», который определяется количеством циклов записи/стирания (и количеством циклов чтения кстати, но оно намного больше к-ва циклов записи, и им можно пренебречь). почитай уже теорию.

полупроводники тоже изнашиваются!

изнашиваются, но у них _другие_ проявления «износа». у вас в универе были предметы про теорию материалов, электротехнику, полупроводниковые приборы? вот там все это рассказывают.

и на скорости это очень даже сказывается

я во второй раз реквестирую пруфы.

> происходит разрушение диэлектрического слоя!

оно происходит мгновенно?

представь себе, да. в полевом транзисторе слой диэлектрика либо пробит либо не пробит.

>фигасе новости. искренне всегда считал, что ячейка или живая (т.е. в неё можно записать) или нет. и замедления там быть не может, согласно физическим принципам её работы.

Там замедление из-за логики получается, поскольку вышедшие из строя ячейки заменяются другими, получается картинка сходная с фрагментацией винчестера. Ну и в MLC возможен вариант полудохлой ячейки, когда 0 или 1 там ещё различим, а промежуточные уровни уже достаточно сильно съехали.

>представь себе, да. в полевом транзисторе слой диэлектрика либо пробит либо не пробит.

Ну ещё возможен вариант, когда в этот слой диэлектрика постепенно заползают за счёт диффузии атомы из соседних областей, создают там новые уровни и вариант «при каком то напряжении туннелирование есть, при каком-то нет» перестаёт работать. Тем более что в флешках не диэлектрик затвора изнашивается, точнее он же, но в другом месте.

>это, я так понял, физический лимит записи. т.е. 10,000 циклв записи в одну ячейку.

Это для mlc, slc-ячейки порядка 100000 циклоа.

>э не - не пробовал значит флэшки гонять в жёстком режиме - т.е. каждый день писать на неё 1.37 ГБ при размере в 2 ГБ - через несколько месяцев настооолько медленне становится )

уверен, что это не связано с фрагментацией ФС?

представь себе, да. в полевом транзисторе слой диэлектрика либо пробит либо не пробит.

кот твой на аваторе? такой же ленииивый )
пруф --> http://serge.raikevich.com/tesla/07.htm

Во многих экспериментах он сталкивался с проблемой передачи возможно большего количества энергии через диэлектрик. Например, он применял лампы накаливания с полностью запаянными в стекло концами нитей накаливания, но прикрепленными к внутренним изоляционным оболочкам конденсаторов таким образом, чтобы вся необходимая энергия проходила сквозь стекло с поверхностью конденсатора не более нескольких квадратных сантиметров. Такие лампы могли бы с успехом применяться на практике с токами достаточно высокой частоты. При частоте 15.000 колебаний в секунду нити с легкостью раскалялись добела. Этого можно добиться и при более низких частотах, но необходимо было увеличивать разность потенциалов. К тому же автор обнаружил, что через некоторое время стекло становилось перфорированным, а вакуум исчезал. Чем выше частота, тем дольше лампа может выдержать. Такой износ диэлектрика происходит всегда, когда количество энергии, передаваемой сквозь непроводник определенных размеров и при заданной частоте, слишком велико. Стекло проявляет себя наилучшим образом, но даже и оно приходит в негодность.

>на флэшках нет головки! потому на фрагментацию глубоко плевать!

Тем не менее, такой параметр, как время доступа имеет место быть. У бюджетных флэшек оно может оказаться тормознее, чем на винтах.

уверен!
т.к. те файлы приходилось тут же удалять,а самое быстрое - дефраг :)

время доступа может быть любым - главное что оно фактически не зависти от «фрагментации»

чёт мы не в ту степь )))
скорость падает! почему даже не важно
поэтому система предложенная в топике - имхо ССЗБ и мажорство!

Да посмотри любой обзор ssd или обычных усб-флэшек- скорость сильно зависит от размера блока, обычно где-то на 4К резко падает.
Сам попробовал на нетбуке перенести хомяк на флешку - время старта того же фф увеличилось на порядок, не смотря на то, что линейная скорость чтения на 10 метров быстрее.

короче учиться-учиться-и-ещё-раз-учиться!

Последуй наконец своему совету.

это ещё зачем?
в каком месте 4.2 от меня?

> Ну ещё возможен вариант, когда в этот слой диэлектрика постепенно заползают за счёт диффузии атомы из соседних областей, создают там новые уровни и вариант «при каком то напряжении туннелирование есть, при каком-то нет» перестаёт работать.

эмм. у ячейки должно быть четкое состояние 0 или 1. и емнип, если стирание ячейки и записи в неё неудачны (т.е. четко не регистрируются), контроллер маркирует эту ячейку как помершую. но никаких эффектов замедления чтения/записи _в ячейку_ быть не может. тут кстати еще нужно учесть, что контроллер пишет не перснально в ячейку, а в блок.

> уверен, что это не связано с фрагментацией ФС?

фрагментация в твердотельной памяти не играет никакой роли.

> пруф --> http://serge.raikevich.com/tesla/07.htm

O_o пруф совсем не в тему.

это в тему износа диэлектрика!

Проверь.