Есть примеры выхода из строя ноутбуков на арм из-за перегрева?

Парадокс

там на вантузе отвалился почти весь софт управления кулерами и мониторинга, потому что микрософт забанил используемый им один и тот же драйвер

забанен потому что дает обычному пользователю(!!!) доступ ко всей памяти, ioports и msr

особо интересно что при этом он каким-то образом имеет валидную цифровую подпись. собственно иначе бы он был бы бесполезен

ходят слухи что его не банили раньше по просьбе evga corporation

Ну так его и подписали потому что он в дистрибутив какой-то вендорской утилиты входил

И основная проблемма MOSFET и пр. силовых, как я понимаю — это не деградация самого кристалла, а обрыв связей между кристаллом и выводом корпуса, проблема не в температуре, а в её постоянном изменении и усталостных трещинах от тепловых изменений размеров.

Мосфеты чаще всего работают в ключевом/импульсном режиме. При повышении температуры растет сопротивление в открытом состоянии, получается что-то типа ПОС с дальнейшим разогревом и повышением вероятности пробоя канала при очередном импульсе со скачкообразным ростом тока. Если ток в схеме ограничен - тразистор останется в состоянии кз, если нет - выгорит в обрыв. (лень искать ссылки, это то, что помню из исследований по температурно-деструктивным тестам мосфетов). То есть по классике это все же параметры кристаллов, хотя для китайпродукта, любящего в мощных полупроводниках экономить на габаритах кристалла и толщине внутренних выводов это может быть и ваш вариант.

Вагную таже игра, но не на opengl, а на каком нибудь gles, конечно там что-то другое, урезанное и с более лёгкими попугаями и поэтому все хорошо.
Мне больно что не делают к обычной игре кроссплатфорненую лайт версию игры, потому что у меня тонкий ноут и я не могу с пацанами играть у которых шкаф и игры соответвующие, при этом глубоко по барабану на преимущества и читы, потому что не ммо, все свои, лишь бы отклик хороший и красиво.

MOSFET'ов, работающих в ключевом, но не импульсном режиме тоже хватает, это платы защиты аккумуляторов (от разряда/перезаряда), «идеальные» диоды между солнечной панелью и аккумулятором, наверное ещё что.

Я не утверждал, что обрыв проволочек между кристаллом и корпусными выводами единственная проблема. Но я что читал, и там ссылались на исследование, что как раз при нагреве 175 градусов уже вылазит проблема этих проволочек, если они из алюминия, сначала трещины, потом отгорание одной, перегрузка соседних, разрушения в месте соединения с кристаллом. И, типа, разработка новых проволочек — медь покрытая алюминием, так как меди меньше коэфф. теплового расширения.

То есть, в схеме ток может быть сильно ограничен и далёк от максимально допустимого, но MOSFET с кристаллом, нагреваемым до 125 градусов проживёт дольше, чем с кристаллом, нагреваемым до 175 градусов.

Хотя, может это всё и не имеет отношения к CPU и там что-то другое мешает работе при 125 градусах.

Я не утверждал, что обрыв проволочек между кристаллом и корпусными выводами единственная проблема. Но я что читал, и там ссылались на исследование, что как раз при нагреве 175 градусов уже вылазит проблема этих проволочек,

Такой эффект тоже есть, но его влияние начинается при слишком высоких температурах, выше привычных нам эксплуатационных температур. Тут есть ссылка на работу, что влияние этого эффекта достигает 25-30% среди причин поломок, остальное - сам кристалл

https://www.atlantis-press.com/proceedings/icmmcce-15/25845041

Но кто из нас умудряется использовать мосфеты при 175-200 градусах на кристалле? Это жесть для специфических применений.

То есть, в схеме ток может быть сильно ограничен и далёк от максимально допустимого, но MOSFET с кристаллом, нагреваемым до 125 градусов проживёт дольше, чем с кристаллом, нагреваемым до 175 градусов.

Ну это само собой без вариантов ) Как и то, что при 70 проживет дольше чем при 100.

Хотя, может это всё и не имеет отношения к CPU и там что-то другое мешает работе при 125 градусах.

Мешает чистая статистика - огромное количество полупроводнковых структур в чипе с соответствующим ростом риска выхода из строя любой одной из них с повышением температуры. А сделать высоконадежный кристалл с миллионом транзисторов намного сложнее чем на порядки меньшее количество проволочек. Мосфеты - дешевка, в чипах подороже кристалл уже развязывается не алюминием, а любым сплавом, медью, золотом и тд. То есть как я говорил, проблемы соединения кристалла с выводами проявляются там, где экономят и на материале волосинок.

PS. Заодно стало любопытно, решил посмотреть номенклатуру мосфетов, у которых макс.температура 175 градусов (выше нету). Из 22000 номиналов осталось меньше четверти.

Ну по факту U в тонком корпусе рвет Н как тузег тапку.

Нормальные люди в тонком корпусе не нагружают все ядра 24/7, только на короткое время во время запуска чего-то, поэтому в ноутбуки ставят цп немного мощнее чем охлаждение, которые в импульсе могут даже превысить частоты турбобуста. ИМХО: H в тонком корпусе вполне оправдан, а U оправдан для 100%/24/7.
Для экономии заряда можно переключить фоновые процессы на э/э ядра где минимальные частоты меньше, ещё можно избирательно ограничить некоторых ядрах турбобуст или максимальную частоту, во время длительной нагрузки разумно ограничить частоты всем ядрам чтобы они не уходили в троттлинг.

только на короткое время во время запуска чего-то

Ну если пара секунд решает - то конечно надо ставить H а лучше какой HX или что там еще меа-мощнее. Собственно этой мазью и мажут маркетологи - вот, в пике он вам даст… Но по факту ничего не получается.

избирательно ограничить некоторых ядрах турбобуст или максимальную частоту

Налицо непонимание разницы между U и H. Дело в первую очередь в том что U работает на пониженном напряжении. Когда можно было делать андервольт - многие версии Н вполне можно было сравнять с U более-менее - ибо U и Н были вопросом технологического отбора. Отбирались чипы работающие на низком напряжении и обзывались U и чипы не работающие на низком и обзывались H. Но поскольку разброс был большой - многое из того что продавалось как H могло работать на практически U напряжении. Теперь же купив H получаешь камень который будет жрать гораздо больше - и на E ядрах, и на пониженных частотах - просто потому что там адски задрано напряжение. В качестве утешительного приза процессоры H разрешается разгонять на малую тютельку больше мегагерцев чем искусственно задушенные процы U - ну если процы U не душить то как тогда вообще впаривать H которые по факту - отбраковка, второй-третий сорт. Вот и получается что маркетологи интел впаривают хомячкам говно по завышенным ценам при этом хомячок еще и уверен что он купил не «на тебе боже что нам не гоже» а реально крутую игровую крутотень.

Но с хонором всеже не так просто - достаточно посмотреть их ассортимент продукции и явно видно что они просто помоишники. Из-за антихуавеевских санкций просто метут с рынка откровенно старых мусор - там же куча ноутов на 12 и 13 поколении интела, 4000 и 5000х райзенах - причем это не старые а именно новые только что сделанные ноуты. Ну сейчас они вроде как формально отпочковались от хуавея - так что может быть им и удастся получить нормальные чипы U а может даже и лунарлейки перепадут.

Ну да, то что H не может работать при 100MHz или хотя бы 800MHz это плохо, но при таких скоростях и торчать у компа придётся не 10 минут, а не 1 час, я преувеличил конечно, там побольше частоты при работе, но теперь я понял чем хорош этот U.

По нижней границе частоты что H что U одинаковы, по верхней H может подниматься повыше. Другое дело что даже на 400Mгц H будет работать на более высоком напряжении и больше жрать. Ибо не мегегерцами едиными.

В чем «преиущества» H - так это более высокие лимты TDP. То есть U к примеру (для разных поколений и моделей цифры могут быть разными) может выдавать 28 ватт постоянно и 45 ватт в 2 секунном пике, а для H эти значения будут там к примеру 45 и 65.

То есть если охлад хороший (у тебя толстый легион а не 10миллимитровый хонор охаждающийся пластиночкой из фольги) - то из H можно выжать больше. Но если оклад у тебя плохой - а в тонком корпусе он плохой по определению (ну берем ультрабуки - 10-14 мм толщиной) - то там что U что Н будут зажаты ватт на 30-40 от силы. И в этот момент работает тот факт что 30 ватт на U - это гораздо производительнее чем 30 ватт на H. То есть напряжение ниже - а значит частота U при том же потреблении будет выше. Поэтому получается что по бумажке у тебя дохлый U на 30 ватт и могучий H на 45 ватт - а по факту охлаждение этот Н задавило и он будет троттлить как ни в себя а U - не будет. И получится что U гораздо производительнее. Но в бумажке написано наоборот. Потому что потенциально если вытащить этот проц из ультрабука и вставить в десктоп или легион - будет совсем другая история.

Уверен что там частоты минимальные одинаковы? Потому что я думал если занизить вольтаж он не пробьёт весь долгий путь в транзисторах цп и нужно понизить частоту чтобы дольше пробивало и всё заработало, не каждый кристал такое сможет, получается U редкий и дорогой и не популярный, поэтому его не пихают везде.

Посмотрел разницу U/H 13интела, у H ядер больше в 3-4 раза и частоты выше, а разница в ваттах 45/12. Если отключить ядра они всё равно жрут?

Есть примеры выхода из строя ноутов из-за повышенной влажности. :) Мой ноут например отказывается работать после недели ночевки на даче. Даже думал, что вообще сломался. Однако побыв дома ящичек опять заработал как в ним чем не бывало.