Минпромторг начал искать исполнителей пяти ОКР, связанных с созданием технологий и промышленных установок для выпуска микросхем с топологией в 250-65 нм. Суммарно будущие исполнители проектов могут получить до 9,2 млрд руб.
Название одной из ОКР: «Разработка и освоение в производстве установки лазерного устранения дефектов и постановка технологического процесса устранения недопустимых дефектов на фотошаблонах в обеспечение производства интегральных схем с топологическими нормами 90-65 нм». Работам присвоен шифр «Прогресс-ретушь». Начальная цена контракта в тендере выставлена на уровне 1,16 млрд руб.
Название другой: «Разработка и освоение в производстве установки контроля координат топологических элементов и критических размеров структур на фотошаблонах в обеспечение производства интегральных схем с топологическими нормами 90-65 нм». Работам присвоен шифр «Прогресс-контроль». Начальная цена контракта — 1,41 млрд руб.
Еще одна ОКР названа «Разработка и изготовление опытных образцов установок электрохимического осаждения для обеспечения серийного производства микроэлектроники на пластинах 100 мм/4 дюйма и 200 мм/90 нм». Шифр — «Горизонт-ЭХО». Начальная цена контракта — 800 млн руб.
Названия еще двух ОКР практически идентичны: «Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ-компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках карбида кремния с проектными нормами 0,25 мкм» (шифр «Т-НГ-1»; начальная цена контракта — 2 71 млрд руб.) и «Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ- и силовых компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках кремния с проектными нормами до 0,25 мкм» (шифр «Т-НГ-2» »; начальная цена контракта — 3,13 млрд руб.).
Таким образом, общая сумма выделенных на проекты средств составила 9,2 млрд руб. Все тендеры были запущены в формате открытых конкурсов. Заявки на них от претендентов будут приниматься до 17 июля 2023 г. Итоги первых трех тендеров планируется подвести 21 июля. Двух последних — 26 июля. Сроки и ожидаемые результаты
Из тендерных документов следует, что первые три из перечисленных ОКР должны быть выполнены до 30 ноября 2026 г. Последние две — до 30 ноября 2025 г.
В ходе первого из перечисленных проектов будущему подрядчику предстоит провести расчеты для ультрафиолетовых объективов и параметров оптической системы лазера для устранения в изделиях оптических дефектов, а также разработать эскизный проект установки, конструкторскую, технологическую и эксплуатационную документацию, после чего изготовить два опытных образца установки.
Ожидаемые результаты второй ОКР — аналогичны. Проект также подразумевает создание двух опытных образцов соответствующей установки.
Два образца изделий также должен изготовить и исполнитель третьей ОКР. В отношении них госзаказчик отмечает, что прямые отечественные аналоги на рынке сейчас отсутствуют. «Функциональными аналогами являются установки SolsticeS8, SolticeS4, SolticeLT компании ClassOne; StratusP300 компании Asmptnexx; NokotaECD, RaiderECD компании AppliedMaterials; серия Sabre компании LamResearch», — говорится в ТЗ.
В то же время в России еще в январе 2020 г. была утверждена стратегия развития электронной промышленности на период до 2030 г., которая подразумевала строительство фабрик, способных выпускать чипы с топологией 28 нм и ниже (вплоть до 5 нм). Однако точные сроки появления таких фабрик в стратегии прописаны не были.
По данным CNews, проект создания фабрики на 28 нм в России действительно был запущен, однако все опрошенные редакцией участники рынка комментировать его отказываются. Представители Минпромторга в разговоре с CNews осенью 2020 г. называли его закрытым (секретным).
Раз секретный, значит, попил, ИМХО