9 февраля 2006 www.compulenta.ru сообщил, что компании Toshiba и NEC разработали самую быструю MRAM - магниторезистивную память.
Цитата "Память MRAM совмещает в себе достоинства динамической и флэш-памяти. Она имеет небольшое время чтения/записи и вместе с тем является энергонезависимой. Она идеально подходит для использования в портативных устройствах, питающихся от аккумуляторов, например, карманных компьютерах или смартфонах". Среди прочих дополнительных преимуществ данного типа памяти - уменьшение размера чипов.
http://www.compulenta.ru/251213