Исправление gns, (текущая версия) :
Результат третьего теста. Все довольно неоднозначно. На моем T530 первый раз тест свалился на третьем проходе с сообщение CRC error (извините, вывод «затерся» в буфере терминала).
Второй раз свалился на 24м проходе
gleb@raccoon:~/src/hlam$ ./rowhammer
#0 ........................................ OK
#1 ........................................ OK
#2 ........................................ OK
#3 ........................................ OK
#4 ........................................ OK
#5 ........................................ OK
#6 ........................................ OK
#7 ........................................ OK
#8 ........................................ OK
#9 ........................................ OK
#10 ........................................ OK
#11 ........................................ OK
#12 ........................................ OK
#13 ........................................ OK
#14 ........................................ OK
#15 ........................................ OK
#16 ........................................ OK
#17 ........................................ OK
#18 ........................................ OK
#19 ........................................ OK
#20 ........................................ OK
#21 ........................................ OK
#22 ........................................ OK
#23 ........................................ DRAM CRC FAIL! ;-)
Память вот такая:
*-memory
описание: Системная память
физический ID: 7
слот: Системная плата или материнская плата
размер: 8GiB
*-bank:0
описание: SO-DIMM DDR3 Синхронная 1600 MHz (0,6 ns)
продукт: HMT351S6CFR8C-PB
производитель: Hynix/Hyundai
физический ID: 0
серийный №: 006597F4
слот: ChannelA-DIMM0
размер: 4GiB
разрядность: 64 bits
частота: 1600MHz (0.6ns)
*-bank:1
описание: SO-DIMM DDR3 Синхронная 1600 MHz (0,6 ns)
продукт: CT51264BF160BJ.C8F
производитель: 859B
физический ID: 1
серийный №: 17410000
слот: ChannelB-DIMM0
размер: 4GiB
разрядность: 64 bits
частота: 1600MHz (0.6ns)
Вывод — надо менять память.
Исправление gns, :
Результат третьего теста. Все довольно неоднозначно. На моем T530 первый раз тест свалился на третьем проходе с сообщение CRC error (извините, вывод «затерся» в буфере терминала).
Второй раз свалился на 23м проходе
gleb@raccoon:~/src/hlam$ ./rowhammer
#0 ........................................ OK
#1 ........................................ OK
#2 ........................................ OK
#3 ........................................ OK
#4 ........................................ OK
#5 ........................................ OK
#6 ........................................ OK
#7 ........................................ OK
#8 ........................................ OK
#9 ........................................ OK
#10 ........................................ OK
#11 ........................................ OK
#12 ........................................ OK
#13 ........................................ OK
#14 ........................................ OK
#15 ........................................ OK
#16 ........................................ OK
#17 ........................................ OK
#18 ........................................ OK
#19 ........................................ OK
#20 ........................................ OK
#21 ........................................ OK
#22 ........................................ OK
#23 ........................................ DRAM CRC FAIL! ;-)
Память вот такая:
*-memory
описание: Системная память
физический ID: 7
слот: Системная плата или материнская плата
размер: 8GiB
*-bank:0
описание: SO-DIMM DDR3 Синхронная 1600 MHz (0,6 ns)
продукт: HMT351S6CFR8C-PB
производитель: Hynix/Hyundai
физический ID: 0
серийный №: 006597F4
слот: ChannelA-DIMM0
размер: 4GiB
разрядность: 64 bits
частота: 1600MHz (0.6ns)
*-bank:1
описание: SO-DIMM DDR3 Синхронная 1600 MHz (0,6 ns)
продукт: CT51264BF160BJ.C8F
производитель: 859B
физический ID: 1
серийный №: 17410000
слот: ChannelB-DIMM0
размер: 4GiB
разрядность: 64 bits
частота: 1600MHz (0.6ns)
Вывод — надо менять память.
Исходная версия gns, :
Результат третьего теста. Все довольно не однозначно. На моем T530 первый раз тест свалился на третьем проходе с сообщение CRC error (извините, вывод «затерся» в буфере терминала).
Второй раз свалился на 23м проходе
gleb@raccoon:~/src/hlam$ ./rowhammer
#0 ........................................ OK
#1 ........................................ OK
#2 ........................................ OK
#3 ........................................ OK
#4 ........................................ OK
#5 ........................................ OK
#6 ........................................ OK
#7 ........................................ OK
#8 ........................................ OK
#9 ........................................ OK
#10 ........................................ OK
#11 ........................................ OK
#12 ........................................ OK
#13 ........................................ OK
#14 ........................................ OK
#15 ........................................ OK
#16 ........................................ OK
#17 ........................................ OK
#18 ........................................ OK
#19 ........................................ OK
#20 ........................................ OK
#21 ........................................ OK
#22 ........................................ OK
#23 ........................................ DRAM CRC FAIL! ;-)
Память вот такая:
*-memory
описание: Системная память
физический ID: 7
слот: Системная плата или материнская плата
размер: 8GiB
*-bank:0
описание: SO-DIMM DDR3 Синхронная 1600 MHz (0,6 ns)
продукт: HMT351S6CFR8C-PB
производитель: Hynix/Hyundai
физический ID: 0
серийный №: 006597F4
слот: ChannelA-DIMM0
размер: 4GiB
разрядность: 64 bits
частота: 1600MHz (0.6ns)
*-bank:1
описание: SO-DIMM DDR3 Синхронная 1600 MHz (0,6 ns)
продукт: CT51264BF160BJ.C8F
производитель: 859B
физический ID: 1
серийный №: 17410000
слот: ChannelB-DIMM0
размер: 4GiB
разрядность: 64 bits
частота: 1600MHz (0.6ns)
Вывод — надо менять память.