История изменений

Ага - в любом слабомощном БП зарядки мобильника или антенны сушилки куча микросхем.

Ну нет. В дешёвых китайских БП обычно применяются автогенераторные схемы на нескольких транзисторах и пассивных компонентах. Но в любом случае в начале идёт однополупериодный выпрямитель на одном диоде или нормальный на четырёх. Даже в самом маленьком заряднике.

Закрытый транзистор под током тоже работает, поменьше но всё равно работает. Отдыхает он только когда отжата механическая кнопка питания, но их всё меньше.

Да ну? Сопротивление закрытого транзистора настолько велико, что он не будет вносить сколько-нибудь заметного влияния в потребление схемы. Да и главная беда полупроводников (кроме всяких экстремальных вещей типа электрического пробоя, но это надо грубо нарушить даташит) - диффузия, скорость которой зависит от температуры (и, нагреваясь, от проходящего тока на десятки градусов транзистор приближает свою смерть). Только вот при токе в наноамперы нагрев будет настолько незначительным, что держа пульт в руках ты куда сильнее ускоряешь скорость диффузии. А вообще в мощных БП обычно таки дохнут электролиты (из них испраряется пропитка), а не транзисторы. Впрочем, сдохшие электролиты могут привести к тому, что транзисторы будут работать в более жёстком режиме и поэтому тоже помрут, но не по своей вине.

Ага - в любом слабомощном БП зарядки мобильника или антенны сушилки куча микросхем.

Ну нет. В дешёвых китайских БП обычно применяются автогенераторные схемы на нескольких транзисторах и пассивных компонентах. Но в любом случае в начале идёт однополупериодный выпрямитель на одном диоде или нормальный на четырёх. Даже в самом маленьком заряднике.

Закрытый транзистор под током тоже работает, поменьше но всё равно работает. Отдыхает он только когда отжата механическая кнопка питания, но их всё меньше.

Да ну? Сопротивление закрытого транзистора настолько велико, что он не будет вносить сколько-нибудь заметного влияния в потребление схемы. Да и главная беда полупроводников (кроме всяких экстремальных вещей типа электрического пробоя, но это надо грубо нарушить даташит) - диффузия, скорость которой зависит от температуры (и, нагреваясь, от проходящего тока на десятки градусов транзистор приближает свою смерть). Только вот при токе в наноамперы нагрев будет настолько незначительным, что держа пульт в руках ты куда сильнее ускоряешь скорость диффузии. А вообще в мощных БП обычно таки дохнут электролиты, а не транзисторы. Впрочем, сдохшие электролиты могут привести к тому, что транзисторы будут работать в более жёстком режиме и поэтому тоже помрут, но не по своей вине.