Недавно группа исследователей обратила внимание, что можно инициировать повреждение отдельных битов DRAM-памяти путём цикличного чтения данных из соседних ячеек памяти (простой цикл с чтением содержимого памяти и очисткой кэша). Проблема обусловлена особенностью работы памяти DRAM, которая формируется как двухмерный массив ячеек, каждая из которых состоит из конденсатора и транзистора.
Исследователи безопасности из группы Zero продемонстрировали реальность создания рабочих эксплоитов, использующих уязвимость RowHammer
- Варианты эксплоита {1}, {2}, {3};
- Обсуждение результатов тестов.
>>> Подробности
