Subj.
Не фонтан:
Что же, этот день настал. Индустрия прошла путь к литографической EUV-проекции от идей и разработок до коммерческого внедрения длиною почти 30 лет. Только за последние пять лет мощность EUV-источников излучения была поднята с 25 Вт до 250 Вт, что позволило добиться достаточной для массового выпуска производительности литографических сканеров. Первой это сделала компания Samsung, объявив вчера об открытии эры коммерческой EUV-литографии.
На заводе Fab S3 в Хвасоне (Южная Корея) компания начала выпускать чипы с использованием техпроцесса 7LPP (7 нм low power plus). Для изготовления нескольких критически важных слоёв Samsung впервые в индустрии задействовала EUV-сканеры с длиной волны 13,5 нм. Но даже этого хватило, чтобы уменьшить площадь микросхем на 40 % при одновременном снижении потребления до 50 % или для повышения производительности до 20 % (по сравнению с техпроцессом 10LPE).
Интересно, что компания смогла повысить мощность излучения в штатных сканерах ASML Twinscan NXE: 3400B до 280 Вт. При этом сканеры в сутки в непрерывном режиме могут обрабатывать 1500 300-мм пластин. Это почти в два раза меньше теоретической пропускной способности NXE: 3400B с 250-Вт источником излучения, но уже достаточно для коммерческих объёмов производства.
Переход на EUV-сканеры даже в малом объёме общего производства позволил на 20 % сократить потребность в фотомасках, а это деньги за маски и экономия от сокращения производственных циклов. Так, ряд проекций с EUV можно осуществлять за один или за два прохода (один или два фотошаблона), тогда как для 193-нм сканера потребовалось бы четыре или даже пять фотошаблонов (проходов). Так что экономия по деньгам обещает оказаться существенной, не говоря уже о таких преимуществах техпроцесса Samsung 7LPP, как увеличение плотности транзисторов и рост производительности (или снижение потребления).
Поглядим, какие проблемы ещё и Самсунг испытает...
